一种基于F-P干涉原理的芯片封装静电测量传感器

摘     要：本发明公开了一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，包括电容扫描探头，光纤电场传感器，光纤传感器解调仪，计算机；本发明使用尺寸为0.4×0.2mm的贴片电容(0.1pF)进行芯片表面电荷的感应，从而构成电容扫描探头，能够有效的扫描芯片表面不同的位置，得到芯片表面的静电分布；敏感器件采用压电陶瓷片，结合光学测量技术能实现对电场测量的精准性和快速性，同时光纤与陶瓷插针和连接使用可以更好的保证光信号的传输。本发明装置具有结构简单、测量精度高、使用稳定性好、抗干扰能力强等优点，可广泛应用于芯片制造和科研领域。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2023/01/24	授权
  2021/09/07	实质审查的生效	IPC(主分类): G01R 29/12 专利申请号: 202110470636.2 申请日: 2021.04.28
  2021/08/20	公开