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摘 要:本发明公开了一种基于TSV的六阶高性能交叉耦合SIW滤波器,包括沿水平方向平行设置的上层RDL和下层RDL,上层RDL与下层RDL之间设有硅基衬底,硅基衬底上分布有六个由TSV构成的谐振腔,六个谐振腔依次排布呈L型设置;上层RDL的相对两侧分别设有输入RDL端口和输出RDL端口;上层RDL上开设有S槽缺口a,下层RDL上开设有S槽缺口b,S槽缺口a和S槽缺口b拼接在一起恰好形成两个整圆。本发明采用交叉耦合的拓扑结构,用于实现六阶基片集成波导。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111601062.4 | 专利名称: | 基于TSV的六阶高性能交叉耦合SIW滤波器 |
申请日: | 2021-12-24 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市碑林区金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01P1/208搜分类 电子元器件 集成电路 滤波搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |