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摘 要:本发明公开了一种三维多孔铜硅碳复合一体化电极及其制备方法,铜硅简单的球磨方法形成铜硅合金,结合有机膜的非溶剂致相分离法制备前驱体,通过粉末冶金的固相烧结法制备出具有一定韧性及机械强度的三维多孔铜硅膜,利用化学气相沉积法生长石墨烯和碳纳米管,通过控制温度,气体通入时间及乙炔的流量来控制石墨烯和碳纳米管的生长,最终制得铜硅碳复合一体化电极。三维多孔结构可以为循环过程中硅的体积膨胀提供充足的空间,而石墨烯和碳纳米管有较大的比表面积,可以形成稳定的SEI膜,可以防止电极材料的粉化及破碎,最终使得其保持稳定的电化学循环,具有广泛的实际应用意义。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810567437.1 | 专利名称: | 一种三维多孔铜硅碳复合一体化电极及其制备方法 |
申请日: | 2018-05-24 | 申请/专利权人 | 天津工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市西青区宾水西道延长线399号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01M4/36搜分类 电子元器件 三维 硅 港口 电子设备和元器件 多孔搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |