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| 专利/申请号： | CN201720285882.X | 专利名称： | CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器 |
| 申请日： | 2017-03-20 | 申请/专利权人 | 天津工业大学 |
| 专利类型： | 实用新型 | 地址： | 天津市西青区宾水西道399号天津工业大学电子与信息工程学院 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | G02B6/124分类检索 工艺 C 后 港口 高效专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器，包括一个双向光栅耦合器，由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成，均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口，模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导，实现无损耗光传输及模式转换；一个双介质包层，位于双向光栅耦合器上方，用于抑制对入射光的向上反射；一个CMOS IC芯片，作为CMOS后工艺的衬底，其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜；一个二氧化硅隔离层，位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间，作为双向光栅耦合器下包层；一个环形金属对准标记，位于双介质包层上方，环绕在双向光栅耦合器周围，用于测试时对单模光纤进行对准。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2017/10/13 | 授权 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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