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摘 要:CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器,包括一个双向光栅耦合器,由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成,均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口,模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导,实现无损耗光传输及模式转换;一个双介质包层,位于双向光栅耦合器上方,用于抑制对入射光的向上反射;一个CMOS IC芯片,作为CMOS后工艺的衬底,其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜;一个二氧化硅隔离层,位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间,作为双向光栅耦合器下包层;一个环形金属对准标记,位于双介质包层上方,环绕在双向光栅耦合器周围,用于测试时对单模光纤进行对准。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201720285882.X | 专利名称: | CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器 |
申请日: | 2017-03-20 | 申请/专利权人 | 天津工业大学 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 天津市西青区宾水西道399号天津工业大学电子与信息工程学院 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G02B6/124搜分类 工艺 C 后 港口 高效搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2017/10/13 | 授权 |