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摘 要:本发明提供了一种Si‑V发光的纳米金刚石晶粒,其制备方法为:采用热丝化学气相沉积法,在经过纳米金刚石溶液超声振荡预处理的石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜,再将其置于500~650℃的空气中保温10~50min,得到沉积于石英衬底上的Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜;通过超声振荡,将Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜从石英衬底上剥离;并继续进行超声振荡,将纳米金刚石薄膜震碎,制得Si‑V发光的纳米金刚石晶粒;本发明简单易行、容易操作,制备了尺寸在70~100nm的Si‑V发光的纳米金刚石晶粒,其晶型规则,发光峰的归一化强度约为4.5,为纳米金刚石在生物标记等领域的应用提供了重要基础。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610870724.0 | 专利名称: | 一种Si?V发光的纳米金刚石晶粒及其制备方法 |
申请日: | 2016-09-30 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区潮王路18号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/04搜分类 纳米搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |