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摘 要:本发明公开Hastelloy N合金表面获得高体积分数增强相的方法,包括如下步骤:(1)将Hastelloy N合金预处理得到预处理后的Hastelloy N合金;(2)将硅粉预处理得到预处理的硅粉;(3)将预处理的硅粉均匀铺展于预处理后的Hastelloy N合金表面,采用激光熔注工艺进行激光辐照扫描得到激光熔注后的Hastelloy N合金;(4)将激光熔注后的Hastelloy N合金进行热处理,然后冷却至室温。本发明通过应用激光熔注技术在Hastelloy N合金的表面形成一层熔注层,生成Mo6Ni6C和Ni3Si,利用Mo6Ni6C和Ni3Si的混合增强作用来提高Hastelloy N合金表面的耐磨能力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610535148.4 | 专利名称: | Hastelloy N合金表面获得高体积分数增强相的方法 |
申请日: | 2016-07-08 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C24/10搜分类 表 L LED芯片搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |