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摘 要:一种SiC材料化学机械抛光方法,将SiC材料置于密闭环境中,密闭环境内的气压、温度以及输入气体组份可控,向密闭环境内充入氧化性气体,调节密闭环境内的温度以及氧化气体的分压至高温高压状态;当化学机械抛光过程处于富含高压氧化气体的环境时,氧化气体会大量溶解进入抛光液中,并与碱性抛光液中的OH-一起参与对SiC材料表层的氧化,加速SiC材料表层的氧化速率,碱性抛光液中的O2与SiC材料反应表层生成一薄层SiO2,通过调节环境温度、气体组份、气压和催化剂条件,实现控制抛光过程中SiC材料表面的化学反应速率。本发明提供一种材料去除率较高、过程可控、低成本的SiC材料化学机械抛光方法。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510149170.0 | 专利名称: | 一种SiC材料化学机械抛光方法 |
申请日: | 2015-03-31 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号浙江工业大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B24B37/10搜分类 化工机械 化学化工 C IC 机械抛光 机械制造 材料化学搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |