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摘 要:一种压阻式压力传感器及其制造方法。本发明提供了一种基于阳极键合封装的MEMS压阻式压力传感器,所述的传感器具有第一键合玻璃‑硅基‑第二键合玻璃三明治结构;所述硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有淡硼扩散压阻的膈膜作为压阻式压力传感器结构,并且利用二次阳极键合技术进行圆片级封装,第一次阳极键合采用硅‑玻璃阳极键合,第二次阳极键合利用非晶硅‑玻璃阳极键合技术的封装解决了传统硅‑玻璃阳极键合过程中容易击穿硅表面PN结和产生离子污染等缺点;本发明压力传感器结构新颖、重量轻、体积小、稳定性好、抗污染能力强、可靠性好,在航空航天、军事、汽车、环境监测等领域具有一定的应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410264486.X | 专利名称: | 一种压阻式压力传感器及其制造方法 |
申请日: | 2014-06-13 | 申请/专利权人 | 江苏英特神斯科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市高新技术产业开发区丽新路19号英特神斯科技园 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01L1/18搜分类 传感器搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2017/09/15 | 授权 | |
2017/08/04 | 著录事项变更 | 发明人由蒋恒 孙笠 董健变更为何野 董健 蒋恒 龙芝剑 |
2017/08/04 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2017.07.14 申请人由浙江工业大学变更为江苏英特神斯科技有限公司 地址由310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处变更为210032 江苏省南京市高新技术产业开发区丽新路19号英特神斯科技园 |
2014/10/22 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G01L 1/18 专利申请号: 201410264486.X 申请日: 2014.06.13 |
2014/09/24 | 公开 |