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摘 要:本发明提供了一种高迁移率n型纳米金刚石薄膜及制备方法:采用离子注入方法,在纳米金刚石薄膜中注入较低剂量的杂质离子,然后对薄膜进行700~1000℃下真空退火,即得所述n型纳米金刚石薄膜。本发明所述杂质离子在薄膜中的浓度为1015~1017cm-3,纳米金刚石晶粒尺寸为3~6nm,纳米金刚石晶粒中的缺陷浓度约为1010~1012 cm-3;该薄膜为电阻率低、Hall迁移率高的n型纳米金刚石薄膜,对实现纳米金刚石薄膜在半导体器件、场致发射显示器、电化学等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201210594869.4 | 专利名称: | 一种高迁移率的n型纳米金刚石薄膜及制备方法 |
申请日: | 2012-12-31 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区潮王路18号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C14/48搜分类 塑料 纳米搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2015/05/27 | 授权 | |
2013/05/29 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C23C 14/48 专利申请号: 201210594869.4 申请日: 2012.12.31 |
2013/04/24 | 公开 |