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摘 要:本发明公开了一种高比表面积WC-C复合材料的制备方法,包括如下步骤:将钨源作为前驱体,所述的钨源为偏钨酸铵、仲钨酸铵、钨酸钠或钨酸,在氮气保护下将质量比为1∶0.1~1的钨源与金属粉末的混合物放入石英舟内,移入通有氮气的管式炉中,所述金属粉末为Mg,Na或Al粉;以CO作为碳化气体,以20~300ml/min的流速通入管式炉中,通过程序升温方式进行还原碳化,反应完毕后在氮气的保护下冷却至室温,将样品放入酸溶液中去除金属后,经过滤、干燥获得黑色粉末,即为所述的WC-C复合材料。本发明制备方法简单,制得的WC-C复合材料具有高分散性、高比表面的特点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201010617226.8 | 专利名称: | 一种高比表面积WC-C复合材料的制备方法 |
申请日: | 2010-12-31 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区朝晖六区 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B01J27/22搜分类 复合材料 表 C 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |