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摘 要:一种导电基底上垂直生长MXene的方法,包括:(1):选取导电基底,进行预处理;(2):将步骤(1)处理后的导电基底浸在MXene分散液中,使导电基底与MXene分散液充分接触;(3):将步骤(2)处理后的导电基底进行冷冻干燥处理,所述冷冻干燥处理按照如下实施:①梯度冷凝:取结构如图所示的梯度冷凝模具,将梯度冷凝模具部分浸在冷凝介质中,确保整个长方体模块A及部分楔形模块B与冷凝介质直接接触,且楔形模块C不与冷凝介质直接接触,将导电基底置于楔形模块C上,在冷凝介质中冷冻1~20min,获得冻结好的导电基底;②将冻结好的导电基底转移至冷冻干燥机中,进行后续升温干燥操作,获得MXene基导电基底,其中MXene以垂直排列的方式生长在导电基底表面。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910891263.9 | 专利名称: | 一种导电基底上垂直生长MXene的方法 |
申请日: | 2019-09-20 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区潮王路18号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B32/90搜分类 底 生长搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |