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摘 要:本发明公开了一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料,其生长在衬底上,所述双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料的化学式为La1‑xCaxMnO3,0.35<x≤1,其双层结构由一层沿着衬底外延生长的0‑40 nm厚的连续层和垂直于连续层的纳米柱层构成,所述纳米柱层沿着连续层外延生长。本发明还公开了一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料的制备方法及其应用。本发明的材料具有显著的垂直磁异向性和可调的、具有宽的工作温度范围的低场磁阻效应。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910920569.2 | 专利名称: | 一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料及其制备方法 |
申请日: | 2019-09-27 | 申请/专利权人 | 荆楚理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省荆门市象山大道33号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G45/12搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |