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摘 要:本发明提供了一种利用焦耳热制备单质硅的方法,属于锂离子电池负极材料制备技术领域。本发明利用焦耳热制备单质硅,焦耳热具有快速升温,快速加热的优点,并且能够保证加热的均一性,因此,本发明可快速制备单质硅。本发明得到第一粗硅后,将所述第一粗硅升温至1100~1300℃进行第二保温,可以实现副产物硅化镁分解,实现粗硅的第一次提纯,然后升温至1500~2000℃可以实现镁的快速蒸发,实现二次提纯,因此,本发明制备的单质硅具有较高的纯度,不存在后处理不安全的问题。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111363746.5 | 专利名称: | 一种利用焦耳热制备单质硅的方法 |
申请日: | 2021-11-17 | 申请/专利权人 | 青岛科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省青岛市郑州路53号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B33/023搜分类 硅 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |