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摘 要:本发明公开一种高铌TiAl合金片层结构细化的方法,将高铌TiAl合金置于保护气体中;加热至β单相区,保温2~5min,然后降温至两相区(β+α)保温10s~30s;之后进行真应变量为40%~60%的变形处理,然后进行淬火;将经过淬火的高铌TiAl合金以5℃/min~10℃/min升温至700~900℃保温3~5小时在进行随炉冷却至室温;在低温时效时γ片层在晶界和层错处析出,片层间距将达到10nm,两相区进行变形处理不仅可以细化片层团尺寸也可以细化片层间距,细化效果更加明显;本发明的周期较短,工艺流程简单,加热、降温、变形以及冷却至室温整个过程耗时较热处理将减少超过12小时,相应的合金在高温区域保温时间大幅度缩短,减少晶粒粗化,且晶粒细化更加均匀,过程简单可以节省成本,力学性能更加优异。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811534347.9 | 专利名称: | 一种高铌TiAl合金片层结构细化的方法 |
申请日: | 2018-12-14 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C22F1/02搜分类 L LED芯片搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/07/30 | 授权 | |
2019/04/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C22F 1/02 专利申请号: 201811534347.9 申请日: 2018.12.14 |
2019/04/02 | 公开 |