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摘 要:本发明公开了一种常压下硅基锗纳米点的制备方法,属于锗纳米点制备技术领域。该制备方法包括清洗硅片;在干燥后的硅片上喷铂金层,将处理好的硅片放到条形容器的一端,另一端放入锗粉,盖上盖子,然后对装有锗粉的一端进行加热,同时向条形容器内通入氩气,氩气自装有锗粉的一端进入条形容器,直至加热结束,经降温后得硅基锗纳米点。本发明的制备方法技术易操作,设备简单,设备价格较低,没有污染物,生长周期短。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010042736.0 | 专利名称: | 一种常压下硅基锗纳米点的制备方法 |
申请日: | 2020-01-15 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C14/16搜分类 纳米材料 硅 锗 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |