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摘 要:本发明公开了一种垂直生长的二硫化铌纳米片及其制备方法和应用,属于电化学催化产氢材料制备技术领域。本发明所述制备方法以五氯化铌和硫粉为前驱体,在惰性气氛下于850~950℃生长20~40min,其中通过控制硫粉和碳布衬底的距离为20~21cm,即可在碳布衬底成功制备结构可控的垂直生长的二硫化铌纳米片;同时碳布这一生长衬底廉价,化学气相沉积法的操作可控性好,易于引入实际工业生产当中,因此在该制备方法绿色化学工业中具有广阔的应用前景。本发明提供的垂直生长的二硫化铌纳米片与碳布衬底相耦合,这一耦合结构有助于有效的电荷传输和增加活性位点,经实验证实所制备的垂直生长的二硫化铌纳米片作为电化学产氢催化剂具有较好电催化活性和稳定性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010888449.1 | 专利名称: | 一种垂直生长的二硫化铌纳米片及其制备方法和应用 |
申请日: | 2020-08-28 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/30搜分类 纳米材料 生长 硫化搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |