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摘 要:一种快速制备γ相聚偏氟乙烯薄膜的方法,以N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂配制质量浓度为3%‑8%聚偏氟乙烯(PVDF)溶液,采用溶液浇注法制备PVDF固化薄膜,在140‑160℃的温度下PVDF快速成核为α相晶核,并在165‑170℃快速相变为γ相晶核,从而提高了PVDFγ相的成核能力,γ相含量能够达到80%;并且由于成核数量增加,从而加快了生长速率;相较于传统的熔融结晶的方法,本方法大大提高了γ相的成核能力并加快了γ相的生长速度,从而可以快速的制备耐高温的聚偏氟乙烯介电膜;制备工艺简单、操作方便、且性能优异,耐高温、耐腐蚀、压电性与铁电性较强,在电容器、传感器、信息储存、电子器件和耐高温的热敏性材料等方面均有潜在的应用价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110622202.X | 专利名称: | 一种快速制备γ相聚偏氟乙烯薄膜的方法 |
申请日: | 2021-06-03 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C08J7/00搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/12/02 | 授权 | |
2021/08/31 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C08J 7/00 专利申请号: 202110622202.X 申请日: 2021.06.03 |
2021/08/13 | 公开 |