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摘 要:一种溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法,分别配制Sm溶液A,S溶液B;将溶液A和B混合均匀后得前驱液C;将Si基板置于紫外照射仪中,于185nm波长光辐射后,放入十八烷基三氯硅烷-甲苯溶液中浸泡、清洗后干燥,再将基板放入紫外照射仪中进行光辐射,得到OTS-SAM功能化的硅基板;将前驱液C置于锥形瓶中,再将OTS-SAM功能化的硅基板置于其中,密封后于电热真空干燥箱中沉积,将基板放入盛有的前驱液C的水热反应釜中于电热真空干燥箱反应完成后取出基板清洗干净后干燥,即在基板表面获得SmS纳米阵列。本发明制备SmS纳米阵列的反应在液相中完成,不需要进行后期的晶化热处理,避免了SmS纳米阵列在热处理过程中可能导致的卷曲、干裂以及薄膜与衬底或气氛反应缺陷。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201310285263.7 | 专利名称: | 一种溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法 |
申请日: | 2013-07-08 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省咸阳市人民西路49号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01F17/00搜分类 纳米搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |