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摘 要:本发明提供了一种PN结硅片上CoP纳米颗粒的制备方法,包括以下步骤:(1)清洗硅片,(2)PN结硅片衬底上Co‑O的合成,(3)PN结硅片衬底上CoP纳米颗粒合成。本发明利用光生电子在PN结内建电场的作用下定向迁移至n区表面后,与溶液中Co离子反应生成Co‑O,然后磷化形成CoP纳米颗粒。与同类材料相比,本发明借助PN结倒金字塔硅片的高比表面积和优异陷光性能,既能有效调控磷化钴纳米颗粒的载量,又能实现良好的光电催化析氢性能。此外,本发明所公布的以倒金字塔p‑n硅为基底光照生长CoP催化剂的制备方法,具有制备工艺简单、成本低廉、可行性及可重复性高、方法新颖等优点,有利用后期的研究和工业化批量生产。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911051225.9 | 专利名称: | 一种PN结硅片上CoP纳米颗粒的制备方法 |
申请日: | 2019-10-31 | 申请/专利权人 | 湖北大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/054搜分类 半导体 CO 硅 P 纳米颗粒搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/04/09 | 授权 | |
2020/05/29 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C25B 11/04 专利申请号: 201911051225.9 申请日: 2019.10.31 |
2020/05/05 | 公开 |