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摘 要:本发明公开了一种LED芯片、LED外延片及其制备方法,其中,LED外延片可以包括金属衬底、设置在金属衬底表面的GaN成核层、设置在GaN成核层表面的N型GaN层、设置在N型GaN层表面的多量子阱层、设置在多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在GaN阻挡层表面的P型GaN层。本申请公开的上述技术方案,直接利用金属衬底作为LED外延片的衬底,由于整个金属衬底都可以导电,因此,则可以对N型GaN层的电流实现扩展,以使电流均匀分布,从而可以提高内量子效率。另外,由于可以直接在金属衬底上设置电极,因此,则可以不再需要通过刻蚀来在N型GaN层上制备电极,从而可以增大LED外延片的有效发光区域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811527125.4 | 专利名称: | 一种LED芯片、LED外延片及其制备方法 |
申请日: | 2018-12-13 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市越秀区东风东路729号大院 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/02搜分类 LED LED芯片搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |