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摘 要:一种高介电常数的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜及其制备方法,x=0.04~0.12,该薄膜为扭曲的钙钛矿结构,菱形晶系,均匀性好,空间点群为R-3m(160),在1kHz频率下,其介电常数为199.3~299.0。制备方法:按摩尔比为(1.05-x):1:x将硝酸铋、硝酸铁和硝酸钬溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中,得前驱液;在基片上旋涂前驱液,匀胶后烘烤得干膜,再退火,得Bi1-xHoxFeO3薄膜,重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度,得高介电常数的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜。本发明设备要求简单,掺杂量易控,能够大幅度提高BiFeO3薄膜的介电性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201310717715.4 | 专利名称: | 一种高介电常数的Bi1-XHoXFeO3 铁电薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2013-12-20 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G49/00搜分类 塑料 铁电 HO F搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |