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摘 要:本发明请求保护一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路,包括开关管、控制逻辑电路、自举电容和负载电容。控制逻辑电路包括NMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12,自举电容包括电容C1和C2,本发明目的在于提高开关电路的线性度和信噪比。创新在于使用CMOS传输门(M6和M7)将输入电压反馈到开关管的栅极,使得开关管的栅源电压保持恒定,使NMOS开关管在采样阶段成为一个定值电阻,从而实现一种高性能的栅压自举开关电路。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910882377.7 | 专利名称: | 一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路 |
申请日: | 2019-09-18 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 重庆市南岸区南山街道崇文路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H03K17/687搜分类 电力 开关插座搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |