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| 专利/申请号： | CN201911135812.6 | 专利名称： | 一种高荧光量子产率CdZnSe_CdSe_CdZnSe量子阱的量子点制备方法 |
| 申请日： | 2019-11-19 | 申请/专利权人 | 南昌航空大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江西省南昌市丰和南大道696号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C09K11/88 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 22 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，包括以下步骤，(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点；(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；(3)、在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。本发明所制备的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点荧光量子产率可以达到100％，成膜后的量子产率也大大提高，很好的保持了大尺寸(厚壳层)以及高发光效率的量子点发光材料，为QLED的制备提供了一种优良的备选材料。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2024/08/13 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2024.07.29 专利权人由合肥名龙电子科技有限公司变更为安徽膜法则科技有限公司 国家或地区由中国变更为中国 地址由230000 安徽省合肥市蜀山区甘泉路81号沃野花园商办楼B-1015变更为239000 安徽省滁州市南谯区龙蟠街道敬梓西路669号（港汇中心）商业A楼2420室 |
| 2024/06/21 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2024.06.04 专利权人由南昌航空大学变更为合肥名龙电子科技有限公司 国家或地区由中国变更为中国 地址由330000 江西省南昌市丰和南大道696号变更为230000 安徽省合肥市蜀山区甘泉路81号沃野花园商办楼B-1015 |
| 2021/12/14 | 授权 | |
| 2020/02/28 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C09K 11/88 专利申请号: 201911135812.6 申请日: 2019.11.19 |
| 2020/02/04 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2021104919956 | 【发明】一种铁氮掺杂石墨烯量子点及其制备方法和应用 | 2025/10/17 |
| 2023104825214 | 【发明】一种空心二氧化锰/碳点复合材料及其制备方法和应用 | 2025/10/15 |
| 2023116706150 | 【发明】一种具有红光发射的上转换纳米材料及其制备方法 | 2025/10/14 |
| 2017100908509 | 【发明】稀土基量子点复合纳米纤维素及其制备方法和应用 | 2025/11/04 |
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