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摘 要:本发明公开了一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法,包括以下步骤,(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点;(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合,通过连续离子层吸附的方法,即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体,制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点;(3)、在步骤(2)的基础上,按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体,继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。本发明所制备的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点荧光量子产率可以达到100%,成膜后的量子产率也大大提高,很好的保持了大尺寸(厚壳层)以及高发光效率的量子点发光材料,为QLED的制备提供了一种优良的备选材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911135812.6 | 专利名称: | 一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法 |
申请日: | 2019-11-19 | 申请/专利权人 | 南昌航空大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江西省南昌市丰和南大道696号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C09K11/88搜分类 SE C CD Zn CdSe搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/12/14 | 授权 | |
2020/02/28 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C09K 11/88 专利申请号: 201911135812.6 申请日: 2019.11.19 |
2020/02/04 | 公开 |