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摘 要:本发明公开了一种四元共蒸AIGS薄膜,包括玻璃基底、沉积在玻璃基底上的金属Mo背电极以及共蒸在Mo背电极上的吸收层;所述吸收层为一步法四元共蒸Ag、In、Ga、Se形成的AIGS薄膜层。本发明还公开了四元共蒸AIGS薄膜的制备方法以及AIGS薄膜太阳能电池。采用一步法,通过控制蒸发源材料蒸气压对薄膜的生长过程进行精确的控制,提高效率和薄膜的均匀性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810615945.2 | 专利名称: | 一种四元共蒸AIGS薄膜及其制备方法和应用 |
申请日: | 2018-06-14 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0392搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |