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摘 要:本发明公开了一种钨基纳米花材料的制备方法与应用,将Cu、W金属块体和稀土盐充分球磨混合,通过可变电流激光离子束气相法制备稀土掺杂50nm‑1μm Cu‑W合金纳米球体,再通过控制液相氧化的温度、时间去除金属铜得稀土掺杂的W‑W2O3复合结构,最终经过煅烧制备具有片状疏密可控且含有丰富氧空位的稀土掺杂钨基纳米花材料。上述钨基纳米花材料在制备光催化剂、气敏传感器或电池负极材料上的方面的应用。所制备的含有丰富氧空位的稀土掺杂钨基纳米花材料,可以应用于高性能锂离子电池负极材料、传感器材料或光催化材料。相对于现有技术,本发明工艺步骤简单,反应时间短,重复性好,收率高,成本低廉,具有较好的规模化应用潜力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811478975.X | 专利名称: | 一种钨基纳米花材料的制备方法与应用 |
申请日: | 2018-12-05 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01M4/48搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
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