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摘 要:本发明提供了一种基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法,包括以下步骤:提供一氧化硅片作为基底,在基底上设置疏水绝缘层,以获得具有亲疏水性分布的图案化基底;提供两枚氧化硅片作为双刮刀,并进行双刮刀的重组;其中一枚刮刀进行疏水性修饰以形成疏水性刮刀,另一枚刮刀进行亲水性修饰以形成亲水性刮刀;分别配置小分子溶液和PS溶液,并将配置的小分子溶液和PS溶液混合搅拌均匀,以形成混合溶液;利用双刮刀技术,将去离子水和混合溶液分别注入亲水性刮刀和疏水性刮刀,并进行刮涂以在图案化基底上,制备出二维分子晶体。本发明制备的二维分子晶体表现出较好的单晶特性和具有原子级别的光滑度,无需晶体的转移过程。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010501247.7 | 专利名称: | 基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法 |
申请日: | 2020-06-04 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号苏州大学独墅湖校区909楼3303 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2022-04-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111682109B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/04/22 | 授权 | |
2020/10/20 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 51/00 专利申请号: 202010501247.7 申请日: 2020.06.04 |
2020/09/18 | 公开 |