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摘 要:本发明提供了一种钼修饰氧化铁光电极的制备方法及表面改性方法。该制备方法包括如下步骤:将FTO导电玻璃以导电面朝上的方式置入反应釜,并向所述反应釜中加入含钼元素的前驱体溶液;将所述反应釜在80‑180℃下加热4‑7h,并待所述反应釜加热完毕冷却后取出所述FTO导电玻璃;将所述FTO导电玻璃倾斜地置入盛有铁的无机盐和矿化剂水溶液的反应釜中,并将所述反应釜在60‑100℃下加热2‑5h,并待所述反应釜加热完毕冷却后取出所述FTO导电玻璃;将所述FTO导电玻璃在500‑600℃下退火1‑3h,再在700‑800℃下退火10‑30min,从而在所述FTO导电玻璃上生长钼修饰氧化铁光电极。上述制备方法以及改性方法极大地提高了Fe2O3光电极的光电流密度、降低了起始电压,从而极大地提升了光电极的光电催化性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811489730.7 | 专利名称: | 一种钼修饰氧化铁光电极的制备方法及表面改性方法 |
申请日: | 2018-12-06 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B1/04搜分类 电子元器件 表 改性 电子设备和元器件 表面改性搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |