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摘 要:本发明提出了具有由半导体兼容的硅/二氧化硅对组成的一维(1D)光子晶体(PC)的全介质偏振无关的角度滤波器。利用p和s偏振分量近似对称的能带分布和法布里‑珀罗(F‑P)共振,实现了用于正入射的高效的偏振无关角度滤波。在大面积(5cm×5cm)范围利用真空磁控溅射读博设计和实验制备了角度滤波器。实验测量表明,波长为1550 nm处的角度滤波样品的偏振无关透射光束的发散角仅为2.2°,正入射时的透射率高达0.8。所提出的角度滤波器提出了以简单的结构和易于制造的方式来设计和实现半导体兼容的全电介质和偏振无关角滤波器的有效方法,其在照明、光束操纵、光耦合和光通信方面有着广泛的潜在应用。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711200014.8 | 专利名称: | 一种全介质偏振无关的角度滤波器 |
申请日: | 2017-11-24 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G02B5/20搜分类 滤波搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |