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摘 要:本发明公开了一种纳米硅阵列负极材料的制备方法及其应用,包括下列步骤:先将硅酸盐溶于溶剂中,搅拌制得溶液,向溶液中加入水解抑制剂,在反应容器中水解;其次,在水解的溶液中加入基体材料,基体材料加入前进行前处理;然后在密封反应容器中进行溶剂热反应,反应保温后,将反应器冷却至室温,取出材料洗涤、干燥,获得二氧化硅纳米阵列;最后,通过金属催化还原制得用于锂离子电池的纳米硅阵列负极材料。本发明的方法操作方便,制备过程易于实施,获得的负极材料可逆容量高,循环性能好,是一种很有应用前景的锂离子电池负极材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201611026785.5 | 专利名称: | 一种纳米硅阵列负极材料的制备方法及其应用 |
申请日: | 2016-11-17 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01M4/38搜分类 纳米材料 硅 阵列搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |