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摘 要:本发明公开了一种黑硅光阴极的制备方法,包括以下步骤:S1、提供一硅片;S2、将硅片放入氢氟酸溶液中清洗,再放入氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中反应,最后在盐酸和过氧化氢的混合溶液中反应,在硅片表面进行制绒;S3、将具有绒面的硅片放入氢氟酸溶液中清洗,然后放入金属盐溶液中反应,将反应完的硅片放入氢氟酸和过氧化氢的混合溶液中反应,对硅片表面的绒面进行刻蚀;S4、在刻蚀后的硅片表面沉积活性薄膜层,活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种,得到黑硅光阴极。本发明中的黑硅光阴极在硅片的绒面上进一步沉积活性薄膜层,可有效提高黑硅光阴极的光电转换性能,大大提高了光电器件的光开路电压,能够增加光电转换效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610963328.2 | 专利名称: | 黑硅光阴极的制备方法及其应用 |
申请日: | 2016-10-28 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0224搜分类 硅 港口 阴极搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |