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摘 要:本发明提供了一种硅光阴极及其制备方法,该制备方法包括:S1)在硅电极与光阳极相对的表面上进行析氢催化剂修饰,得到修饰后的硅电极;S2)在步骤S1)得到的修饰后的硅电极不含析氢催化剂层的表面上制备钝化保护层,得到硅光阴极。与现有技术相比,本发明使析氢催化剂直接与硅表面接触,能形成较好的欧姆接触,可以减少电极的串联电阻,使其具有较好的电化学性能,提高了光阴极的填充因子以及光解水效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610599052.4 | 专利名称: | 一种硅光阴极及其制备方法 |
申请日: | 2016-07-27 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/08搜分类 硅 港口 阴极搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |