一种基于InGaAs-InP异质结光电晶体管的结构优化方法

摘     要：本发明公开了一种基于InGaAs‑InP异质结光电晶体管的结构优化方法，包括以下步骤：根据异质结光电晶体管的实际结构和类型在仿真软件中建立起相同的仿真模型；将该异质结光电晶体管的实际性能与该仿真模型的仿真实验结果进行拟合；以增大光响应度为目的，并以该异质结光电晶体管基区不发生穿通现象为前提，优化该异质结光电晶体管的集电极高低掺杂浓度、基区掺杂浓度和基区厚度，并确定基区与发射区之间的本征层厚度及基区材料掺杂最优渐变范围，得到优化后的结构；将该仿真模型改成优化后的结构，再进行仿真实验，把仿真实验结果与结构优化前的仿真实验结果进行比较，验证结构优化后的有效性。该方法能够对结构进行优化设计，给出确切的结构参数，提高性能。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2018/03/06	授权
  2016/09/28	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 31/18 专利申请号: 201610236092.2 申请日: 2016.04.15
  2016/08/31	公开