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摘 要:本发明涉及一种记忆存储器及其制备方法,它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的两个电极、连接两个电极的薄膜层,所述的薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成。为了制备该记忆存储器,包括以下步骤:(a)在半导体基板上旋涂一层光刻胶,并刻出空腔;(b)在空腔内沉积金属形成相隔的两个电极;(c)制备贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料;(d)将复合材料用去离子水稀释后滴入所述相隔的两个电极之间。通过在两个电极间连接薄膜层,该薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成,使得记忆存储器结构简单、尺寸小、集成度高、成本低、高响应信号、高稳定性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410172981.8 | 专利名称: | 一种记忆存储器及其制备方法 |
申请日: | 2014-04-28 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/05搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2017-05-24 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103928611B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2017/05/24 | 授权 | |
2014/08/13 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 51/05 专利申请号: 201410172981.8 申请日: 2014.04.28 |
2014/07/16 | 公开 |