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摘 要:本发明涉及一种电存储材料,具体公开了一种四进制电存储材料及其制备和应用,所述四进制电存储材料的化学结构式如下所示:式中,所述R和R*选自:卤素、硝基或甲氧基中的一种;其中,R1选自:C1~C6的烷基或苯基中的一种。由于本发明所述四进制电存储材料的应用,本发明成功制得四进制数据存储器件,同时,本发明中所涉及的有机材料合成简单,器件制作工艺成熟,器件性能稳定,在单位密度内的数据存储量将比基于“0”,“1”和“2”三进制数据存储呈指数级增长,因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201110444853.0 | 专利名称: | 四进制电存储材料及其制备和应用 |
申请日: | 2011-12-27 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/00搜分类 储材料 四 港口搜索 |
公开/公告日: | 2012-05-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN102437284A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2014/07/02 | 授权 | |
2012/06/27 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 51/00 专利申请号: 201110444853.0 申请日: 2011.12.27 |
2012/05/02 | 公开 |