发明专利 已授权

一种HoSrMnZn共掺三方铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法

📄 申请号:CN201710254708.3 📄 发布日:2026/08/03

著录项目信息

申请日
2017-04-18
公开号
CN107098395A
公开日
2017-08-29
申请人
陕西科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

非易失性存储器, 传感器, 光电器件, 自旋电子器件

摘要

本发明提供了一种HoSrMnZn共掺三方铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法,用晶体结构为三方结构,空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同元素掺杂的铁酸铋薄膜制备出Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.94Mn0.03Zn0.03O3/Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.93Mn0.03Zn0.04O3超晶格薄膜,即HoSrMnZn共掺三方铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,并采用旋涂和层层退火法,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控,可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

……

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20240813
?? 专利权的转移 :
20181109
✅ 授权
20170922
?? 实质审查的生效 :
20170829
📄 公开

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