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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201610354579.0 | 专利名称： | 一种MgCl2掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法 |
| 申请日： | 2016-05-26 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | C08L27/16分类检索 C L LED芯片 膜的制备方法 聚偏氟乙烯专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2018-06-19 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN106009426B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：一种MgCl2掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法，包括以下步骤：1）使用N,N二甲基甲酰胺DMF作为溶剂配制聚偏氟乙烯/MgCl2共混溶液；2）在热台上将不同质量比例的共混溶液制成薄膜，将薄膜夹在两个透明玻璃板间制成“三明治”结构；3)将2)中制得的不同质量比例的共混薄膜消除热历史，然后降温、等温结晶，并施加至共混薄膜完全结晶；4)将共薄膜使用红外光谱，拉曼光谱，示差扫描量热仪，偏光显微镜，扫描电子显微镜等手段表征聚偏氟乙烯基复合薄膜的晶型为γ晶型以及γ晶型的形貌特征；主要工艺简单，操作方便，制备周期短，可实现较大尺寸以及特殊环带形貌γ型聚偏氟乙烯基复合薄膜的制备，γ型聚偏氟乙烯具有不同于α型聚偏氟乙烯独特的电性。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2018/06/19 | 授权 | |
| 2016/11/09 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C08L 27/16 专利申请号: 201610354579.0 申请日: 2016.05.26 |
| 2016/10/12 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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