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摘 要:一种MgCl2掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法,包括以下步骤:1)使用N,N二甲基甲酰胺DMF作为溶剂配制聚偏氟乙烯/MgCl2共混溶液;2)在热台上将不同质量比例的共混溶液制成薄膜,将薄膜夹在两个透明玻璃板间制成“三明治”结构;3)将2)中制得的不同质量比例的共混薄膜消除热历史,然后降温、等温结晶,并施加至共混薄膜完全结晶;4)将共薄膜使用红外光谱,拉曼光谱,示差扫描量热仪,偏光显微镜,扫描电子显微镜等手段表征聚偏氟乙烯基复合薄膜的晶型为γ晶型以及γ晶型的形貌特征;主要工艺简单,操作方便,制备周期短,可实现较大尺寸以及特殊环带形貌γ型聚偏氟乙烯基复合薄膜的制备,γ型聚偏氟乙烯具有不同于α型聚偏氟乙烯独特的电性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610354579.0 | 专利名称: | 一种MgCl2掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法 |
申请日: | 2016-05-26 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C08L27/16搜分类 C L LED芯片 膜的制备方法搜索 |
公开/公告日: | 2018-06-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106009426B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2018/06/19 | 授权 | |
2016/11/09 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C08L 27/16 专利申请号: 201610354579.0 申请日: 2016.05.26 |
2016/10/12 | 公开 |