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摘 要:本发明涉及一种低损耗、高电阻率Bi4Ti3O12基无铅压电陶瓷的制备方法,首先通过氧化铋和二氧化钛制备Bi4Ti3O12粉体,后在Bi4Ti3O12粉体中掺杂Fe2O3,经过球磨后燥、研磨、造粒、压片成型,在1000~1100℃烧结,制得低损耗、高电阻率的Bi4Ti3O12基无铅压电陶瓷。本发明提供了一种制备工艺简单、符合工业化生产需求、掺杂物质简单易得,相比BIT陶瓷晶粒细化、均匀;制备陶瓷的介电损耗降低,电导率高,压电活性好;制备的陶瓷纯度高、不含其他杂项,不含Pb等有害化合物,符合绿色电子材料制造要求的Bi4Ti3O12基无铅压电陶瓷的制备方法。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410692344.3 | 专利名称: | 一种低损耗、高电阻率Bi4Ti3O12基无铅压电陶瓷的制备方法 |
申请日: | 2014-11-26 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/475搜分类 陶瓷 电阻 电陶瓷 压电陶瓷 低 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |