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摘 要:一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法,依次包括WO3纳米片阵列薄膜的制备和WO3/Au光阳极的制备,其特征在于:所述WO3/Au光阳极的制备是将WO3纳米片阵列薄膜置于SnCl2的盐酸溶液浸泡,然后用无水乙醇冲洗吹干,再置于HAuCl4水溶液中浸泡一段时间,然后取出去离子水冲洗吹干,最后置于HNO3水溶液中浸泡一段时间,即制得WO3/Au光阳极。本发明方法制备WO3/Au光阳极,超细Au纳米颗粒在WO3表面均匀沉积、分散性优异,沉积的Au颗粒尺寸均匀,约为10nm,在Au与WO3界面形成肖特基结促进了电荷分离,WO3纳米片的单晶结构又提供了良好电子传输的通道,从而有效的提高了其光电催化性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010384843.1 | 专利名称: | 一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法 |
申请日: | 2020-05-09 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01G9/20搜分类 纳米材料 AU 阵列搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |