单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法

摘     要：本发明公开了一种单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，具体按照以下步骤进行：步骤1，对研磨后要进行抛光的晶片表面进行粗糙度测量，根据研磨后晶片表面粗糙度度决定离子注入深度；步骤2，确定操作所选用的离子注入机以后，选用Al离子进行注入，根据步骤1测量的晶片表面粗糙度和离子注入深度和离子注入能量值的比例关系，选择晶片表面粗糙度对应的离子注入能量值进行注入分次注入，使离子在注入深度上纵向都有较为均匀的分布；步骤3，将离子注入完成的晶片置于抛光机中，去除晶片离子注入的表面层，即成。本发明能主动改变脆性材料表面层的物理机械性能，降低材料的硬度和脆性，从而采用非常小的机械作用力去除。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2020/12/18	授权
  2018/11/27	实质审查的生效	IPC(主分类): B24B 1/00 专利申请号: 201810548120.3 申请日: 2018.05.31
  2018/11/02	公开