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24小时咨询热线摘 要：本发明的公开了一种铒掺杂二硫化钼薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1、将硫粉置于一温区；将三氧化钼粉及氯化铒粉置于二温区；将衬底放在坩埚表面，然后将坩埚放置在三温区；步骤2、将真空管式炉内抽真空，向真空管式炉中通载气进行清洗；步骤3、继续通所述载气，将二温区加热到150～350℃，将三温区加热到150～350℃；步骤4、设置三温区预蒸发和预成核的温度梯度为‑150℃～150℃，得气态的MoO3‑x，其中0 著 录 项：
专利/申请号：
CN201710421009.3
专利名称：
一种铒掺杂二硫化钼薄膜的制备方法
申请日：
2017-06-07
申请/专利权人
专利类型：
发明
地址：
专利状态：
已下证
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分类号：
C23C16/30搜分类
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公开/公告日：
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公开/公告号：
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