SiCMOSFET变换器的过流保护装置及保护方法

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摘     要：本发明公开了SiCMOSFET变换器的过流保护装置及保护方法。包括：漏源电压检测单元、逻辑处理单元、脉冲封锁单元、SiCMOSFET和驱动单元五部分。漏源电压检测单元通过电阻分压完成SiCMOSFET的漏源电压检测，反映SiCMOSFET的漏极电流；通过三极管、稳压管和比较器等完成过流信号的检测；通过三极管的射集电压选择检测SiCMOSFET仅在通态时的漏源电压，并通过稳压管抑制三极管射集电压尖峰，有效避免了过电流保护的误动作，使SiCMOSFET变换器的运行安全可靠；调节可变电阻的大小可改变过电流保护的阈值，设置灵活方便。该漏源电压检测的过流保护装置及方法，成本低，安全可靠，检测速度快。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注

• 申请号	专利名称	发布日期
  2023206723761	【实用新型】一种高效型房建工地降尘结构	2025/09/17
  2023215595777	【实用新型】一种房建施工高效降尘装置	2025/09/17
  2020214170225	【实用新型】一种具有粉尘清理结构的大气治理装置	2025/09/17
  2020220616163	【实用新型】一种无水炮泥车间降尘系统	2025/09/15
  2022234053331	【实用新型】一种空气洁净装置	2025/09/12
  2023223101340	【实用新型】一种气电联控的自动除尘装置	2025/09/12
  2021206239632	【实用新型】一种建筑工程用的洒水装置	2025/09/12
  2023210960825	【实用新型】一种用于路桥施工用降尘装置	2025/09/12
  2023232968699	【实用新型】一种土木工程使用的降尘装置	2025/09/11
  2022217888797	【实用新型】一种建筑施工用降尘装置	2025/09/11