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| 专利/申请号： | CN201410571029.5 | 专利名称： | 一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法 |
| 申请日： | 2014-10-23 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市金花南路5号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | C01B21/072分类检索 L LED芯片 纳米专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2016-07-06 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN104370278B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明公开的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法，其以Al粉为原料，通过在低温和常压下的氮化处理制得AlN粉末，随后通过湿法机械球磨对所制备的AlN粉末进行分散，最后进行干燥处理后即获得高纯度的纳米AlN粉末。本发明的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法解决了现有的AlN制备方法存在的所需设备要求高、方法复杂和制得的AlN纯度较低的缺点。本发明的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法对原料和制备设备均无特殊要求，其制备工艺简单、能耗较低、制得的纳米AlN粉末纯度高，在制备过程中无需添加任何辅助试剂，且氮化处理的设备简单，所通气氛为常压气氛，因而制备成本较为低廉，对于工业化大规模生产具有很高的价值。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2016/07/06 | 授权 | |
| 2015/03/25 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C01B 21/072 专利申请号: 201410571029.5 申请日: 2014.10.23 |
| 2015/02/25 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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