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摘 要:本发明公开的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法,其以Al粉为原料,通过在低温和常压下的氮化处理制得AlN粉末,随后通过湿法机械球磨对所制备的AlN粉末进行分散,最后进行干燥处理后即获得高纯度的纳米AlN粉末。本发明的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法解决了现有的AlN制备方法存在的所需设备要求高、方法复杂和制得的AlN纯度较低的缺点。本发明的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法对原料和制备设备均无特殊要求,其制备工艺简单、能耗较低、制得的纳米AlN粉末纯度高,在制备过程中无需添加任何辅助试剂,且氮化处理的设备简单,所通气氛为常压气氛,因而制备成本较为低廉,对于工业化大规模生产具有很高的价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410571029.5 | 专利名称: | 一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法 |
申请日: | 2014-10-23 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B21/072搜分类 L LED芯片 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2016-07-06 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN104370278B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2016/07/06 | 授权 | |
2015/03/25 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C01B 21/072 专利申请号: 201410571029.5 申请日: 2014.10.23 |
2015/02/25 | 公开 |