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| 专利/申请号： | CN201510401419.2 | 专利名称： | 具有多孔结构阻挡层CuW/Al双金属材料的制备方法 |
| 申请日： | 2015-07-09 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市金花南路5号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | B22D19/00分类检索 C L LED芯片 多孔专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2015-11-11 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN105033226A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明公开了具有多孔结构阻挡层CuW/Al双金属材料的制备方法，在预处理后的CuW合金表面制备镍扩散阻挡层；对铝块表面进行洁净处理使其表面平整、洁净、无氧化物，备用；将铝块与具有镍扩散阻挡层的CuW合金熔接进行熔接后，即得CuW/Al双金属材料。本发明对CuW合金表面进行预处理，使其表面形成高度为100-200μm的W骨架，并在W骨架上添加镍扩散阻挡层，一方面增加了铝与扩散阻挡层的结合面积，有利于提高界面的结合强度；另一方面，Ni与Al、W元素仅通过互扩散形成固溶体，有效抑制了CuW/Al界面扩散溶解层中脆性金属间化合物Al2Cu的生成，提高了界面可控性。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2017/01/25 | 授权 | |
| 2015/12/09 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): B22D 19/00 专利申请号: 201510401419.2 申请日: 2015.07.09 |
| 2015/11/11 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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