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摘 要:本发明公开了具有多孔结构阻挡层CuW/Al双金属材料的制备方法,在预处理后的CuW合金表面制备镍扩散阻挡层;对铝块表面进行洁净处理使其表面平整、洁净、无氧化物,备用;将铝块与具有镍扩散阻挡层的CuW合金熔接进行熔接后,即得CuW/Al双金属材料。本发明对CuW合金表面进行预处理,使其表面形成高度为100-200μm的W骨架,并在W骨架上添加镍扩散阻挡层,一方面增加了铝与扩散阻挡层的结合面积,有利于提高界面的结合强度;另一方面,Ni与Al、W元素仅通过互扩散形成固溶体,有效抑制了CuW/Al界面扩散溶解层中脆性金属间化合物Al2Cu的生成,提高了界面可控性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510401419.2 | 专利名称: | 具有多孔结构阻挡层CuW/Al双金属材料的制备方法 |
申请日: | 2015-07-09 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B22D19/00搜分类 C L LED芯片 多孔搜索 |
公开/公告日: | 2015-11-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105033226A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2017/01/25 | 授权 | |
2015/12/09 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): B22D 19/00 专利申请号: 201510401419.2 申请日: 2015.07.09 |
2015/11/11 | 公开 |