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| 专利/申请号: | CN202010949994.7 | 专利名称: | 一种CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的制备方法 |
| 申请日: | 2020-09-03 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型: | 发明 | 地址: | |
| 专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | H01G11/24 分类检索 |
| 公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量: | 80 | 所属领域: | 纳米材料 CO 阵列专利转让搜索 |
摘 要:本发明提供一种CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的制备方法。该方包括以下步骤:将钴盐、咪唑类配体和溶剂混合后加入泡沫镍,通过反应在泡沫镍基底上生长沸石咪唑酯骨架Co‑ZIF‑L纳米片阵列;然后,将Co‑ZIF‑L纳米片阵列加入到硫源溶液中,通过水热硫化生成Co3S4纳米片阵列;以此为前驱体加入铈盐、沉淀剂、溶剂,通过溶剂热反应得到CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列。本方法制备的CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列,可直接用作超级电容器的电极,与Co3S4纳米片阵列前驱体相比,比电容提高了114.8%(0.5A/g条件下)。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
| 专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
| 解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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