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摘 要:本发明提供一种CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的制备方法。该方包括以下步骤:将钴盐、咪唑类配体和溶剂混合后加入泡沫镍,通过反应在泡沫镍基底上生长沸石咪唑酯骨架Co‑ZIF‑L纳米片阵列;然后,将Co‑ZIF‑L纳米片阵列加入到硫源溶液中,通过水热硫化生成Co3S4纳米片阵列;以此为前驱体加入铈盐、沉淀剂、溶剂,通过溶剂热反应得到CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列。本方法制备的CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列,可直接用作超级电容器的电极,与Co3S4纳米片阵列前驱体相比,比电容提高了114.8%(0.5A/g条件下)。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010949994.7 | 专利名称: | 一种CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的制备方法 |
申请日: | 2020-09-03 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01G11/24搜分类 纳米材料 CO 阵列搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |