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摘 要:本发明提供了一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料及其制备方法。本发明提供了一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4的制备方法。具体是将g-C3N4加入到含有钴盐、C4H6N2和溶剂的反应溶液中,通过钴离子与C4H6N2反应,在g-C3N4上原位生长形成二维纳米片前驱体,然后加入硫源,通过水热反应得到二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料。本发明材料的制备过程简单,成本低,无污染。该复合电极材料,能够增大电解质溶液与电极材料的接触面积,缩短离子传输路径,加快离子传输速率,增加导电性。作为超级电容器电极材料,该材料具有优异的比电容和循环稳定性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911110962.1 | 专利名称: | 一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料及其制备方法 |
申请日: | 2019-11-01 | 申请/专利权人 | 宁波大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G51/00搜分类 电子元器件 纳米材料 C 材料及其制备方法 电子设备和元器件 硫化搜索 |
公开/公告日: | 2020-01-17 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110697794A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/04/01 | 授权 | |
2020/04/24 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C01G 51/00 专利申请号: 201911110962.1 申请日: 2019.11.01 |
2020/01/17 | 公开 |