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摘 要:本发明公开了一种基于FinFET器件的短脉冲型D触发器,包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器、第八反相器、第九反相器、第十反相器、第一二输入或非门、第一二输入与非门和第二二输入与非门;第一二输入或非门、第一二输入或非门和第二二输入与非门分别具有第一输入端、第二输入端和输出端;优点是减少了FinFET管的个数,由于减少了晶体管的串联情况,电路延时和面积得到了进一步优化,由此在不影响电路性能的情况下,电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710253549.5 | 专利名称: | 一种基于FinFET器件的短脉冲型D触发器 |
申请日: | 2017-04-18 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H03K3/3562搜分类 F 器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |