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摘 要:晶圆级的微米‑纳米级半导体LED显示屏及其制备方法,涉及半导体光电器件,在第一导电型的第一半导体层蚀刻出3x组微米‑纳米尺寸的元件,该元件的表面分别与c面、r面和m面存在夹角,控制该三组表面夹角可调控三组有源层InxGa1‑xN/GaN多量子阱的发光波长为红绿蓝RGB波段的任意波长,可在同一晶圆上制作的RGB任意排列组合及任意波段组合的红绿蓝RGB模块,通过第一半导体制作接触电极并与集成电路控制板连接,可独立控制RGB元件的开关和功率,制作成晶圆级的微米‑纳米象素分辨率的高清、高画质的半导体LED显示屏。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710111713.9 | 专利名称: | 晶圆级的微米-纳米级半导体LED显示屏及其制备方法 |
申请日: | 2017-02-28 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G09F9/33搜分类 半导体 LED 纳米材料 显示 微 微生物采样 LED显示搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |