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摘 要:本发明公开了一种低温沉积二氧化钒薄膜的方法,采用磁控溅射技术,以金属钒或钒合金为靶材,以氧气为反应气体,氩气为溅射气体;制备薄膜前,先将真空室抽至低于1×10‑3Pa本底真空,然后通入氧气和氩气混合气体,氧分压保持为0.01—0.06Pa,在沉积薄膜过程中,控制沉积温度为240~260℃,并在基底添加负偏压,靶表面溅射功率密度为2‑3W/cm2,在基底表面得到高性能的VO2薄膜。本发明的低温沉积方法将VO2薄膜的沉积温度低,并配合适当的负偏压及其他工艺参数制备出的薄膜均匀致密、二氧化钒相变温度低,具有良好相变性能的高性能VO2薄膜;大大降低了生产成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510590007.8 | 专利名称: | 一种二氧化钒薄膜低温沉积方法 |
申请日: | 2015-09-16 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C14/35搜分类 冰箱冰柜 家用电器 塑料 二氧化钒 低 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |