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摘 要:本发明公开了一种低相变温度二氧化钒薄膜的制备工艺。具体为采用直流反应磁控溅射技术,以非掺杂的金属钒为靶材,衬底为K9玻璃、硅片或其他类型材料,以高纯氧气和氩气为反应气体和溅射气体。首先将真空室抽至1.0~8.0×10-4Pa本底真空,然后通入一定量的氧气和氩气,使氧分压为(6-12%),工作真空为0.5Pa,在一定衬底温度下溅射V靶在衬底形成薄膜,溅射功率为100-140W,将沉积在衬底表面的膜冷却到室温,然后在400~600°C Ar气氛下进行热处理100-120分钟,生成高质量低相变温度的二氧化钒薄膜。该发明具有不掺杂、工艺简单、二氧化钒薄膜相变温度低、及相变点可调节的特点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201210412982.6 | 专利名称: | 一种低相变温度二氧化钒薄膜制备工艺 |
申请日: | 2012-10-25 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C14/35搜分类 塑料 工艺 制备工艺 二氧化钒 低 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |