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摘 要:本发明涉及制备一种纳米片,具体涉及一种NiPS3纳米片及其制备方法。本发明的NiPS3纳米片为超薄的具有完整原子结构的二维NiPS3纳米片。本发明的制备方法是通过电化学法插层体相NiPS3晶体制备NiPS3纳米片;该方法特点是在双电极体系中,以体相NiPS3晶体为阴极和以铂电极为阳极,以N,N二甲基甲酰胺(或二甲基亚砜)为溶剂,以四烷基四氟硼酸铵为电解质,以‑2V至‑10V为外加电压;本发明的方法可以快速、低成本的制备具有大尺寸、超薄以及完整原子结构的二维NiPS3纳米片。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811315224.6 | 专利名称: | 一种NiPS3纳米片及其制备方法 |
申请日: | 2018-11-06 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G53/00搜分类 纳米材料 P 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/01/12 | 授权 | |
2019/01/15 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C01G 53/00 专利申请号: 201811315224.6 申请日: 2018.11.06 |